简 中 繁 中 English

首 页　　关于我们　　产 品　　最新讯息　　联络我们

·2006/6/23克里比推出miniSD1GB/2GB记忆卡 　　采用COB 制程，克里比推出1GB/2GB miniSD 采用困难度极高的堆栈(stack)技术，在1GB/2GB miniSD上 堆栈2/4颗FLASH晶粒（Die）及一颗主控晶粒（Die）。即使堆栈了4+1 晶粒（Die）, 克里比的miniSD依然符合SDA 尺吋的规范(20 x 21.5 x 1.4mm，前端金手指端厚度不能超过1.3mm)。 　　因为采用COB制程，克里比1GB/2GB miniSD比市面上用SMT 制成miniSD, 再产品的稳定性更加有保障。

© Copyright 2005 CREBE CORPORATION All rights reserved. 　　　 Tel: +886-2-2799-5917   Fax: +886-2-2799-0896 Sales & Marketing: marketing@CREBE.com